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| Número de pieza | BSH205G2VL |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 418pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 480mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BSH201,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23 | 15000 | Detalles | |
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BSH202,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 | 15000 | Detalles | |
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BSH203,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23 | 0 | Detalles | |
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BSH205,215 | NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 | - | 0 | Detalles |
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BSH205G2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 | 30000 | Detalles | |
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BSH205G2VL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB | - | 880483 | Detalles |
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BSH207,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP | - | 0 | Detalles |