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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSH205G2VL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 418pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 480mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSH201,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23 | 15000 | Einzelheiten | |
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BSH202,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 | 15000 | Einzelheiten | |
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BSH203,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSH205,215 | NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSH205G2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 | 30000 | Einzelheiten | |
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BSH205G2VL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB | - | 880483 | Einzelheiten |
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BSH207,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP | - | 0 | Einzelheiten |