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Nexperia USA Inc. ~ BAV102,135

Número de pieza	BAV102,135
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Corriente - promedio rectificado (Io)	250mA (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.25V @ 200mA
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	50ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 150V
Capacitancia @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Paquete de dispositivo del proveedor	SOD-80C
Temperatura de funcionamiento - unión	175°C (Max)

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
BAV100-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	-	2500	Detalles
BAV100-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	-	0	Detalles
BAV101 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	-	2421329	Detalles
BAV101 L1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 250V 200MA MINIMELF	-	2656723	Detalles
BAV101-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	-	0	Detalles
BAV101-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80	-	0	Detalles
BAV102	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34	-	5000	Detalles
BAV102,115	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS		0	Detalles
BAV102,135	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS		0	Detalles
BAV102-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80	-	5000	Detalles
BAV102-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80	-	0	Detalles
BAV102-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN 150V 200MA MINI MELF	-	0	Detalles