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| Número de pieza | FDM606P |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.8A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.92W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-MLP, MicroFET (3x2) |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDM100-0045SP | IXYS | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 | 0 | Detalles | |
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FDM15-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5 | - | 0 | Detalles |
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FDM3300NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET | 0 | Detalles | |
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FDM3622 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP | - | 3000 | Detalles |
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FDM47-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5 | - | 0 | Detalles |
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FDM606P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET | 0 | Detalles | |
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FDM6296 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33 | 0 | Detalles | |
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FDMA008P20LZ | Fairchild/ON Semiconductor | PT8PZ 20/8V VIS WITH 2.05X2.05 P | - | 0 | Detalles |
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FDMA037N08LC | ON Semiconductor | FET 80V 3.7 MOHM MLP33 | - | 101365 | Detalles |