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| Número de pieza | FDM15-06KC5 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 12A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Paquete / caja | i4-Pac™-5 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDM100-0045SP | IXYS | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 | 0 | Detalles | |
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FDM15-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5 | - | 0 | Detalles |