SUD50N02-04P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A DPAK
SUD50N02-04P-E3 P1
SUD50N02-04P-E3 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Vishay Siliconix ~ SUD50N02-04P-E3

Một phần số
SUD50N02-04P-E3
nhà chế tạo
Vishay Siliconix
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 20V 50A DPAK
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- SUD50N02-04P-E3 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SUD50N02-04P-E3
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 20V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 5000pF @ 10V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 20A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp TO-252, (D-Pak)
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm