Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SIHB18N60E-GE3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 600V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 202 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Vgs (Tối đa) | ±30V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 100V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 179W (Tc) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-263 (D²Pak) |
| Gói / Trường hợp | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHB100N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET E SERIES 600V D2PAK TO-2 | - | 11374 | Chi tiết |
 |
SIHB10N40D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 10A DPAK | - | 0 | Chi tiết |
|
SIHB120N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263 | - | 11355 | Chi tiết |
 |
SIHB12N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK | - | 0 | Chi tiết |
 |
SIHB12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263 | - | 33 | Chi tiết |
 |
SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | - | 705 | Chi tiết |
|
SIHB12N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | - | 28025 | Chi tiết |
|
SIHB12N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 | - | 28025 | Chi tiết |
 |
SIHB12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | - | 0 | Chi tiết |
 |
SIHB15N50E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263 | - | 47 | Chi tiết |
 |
SIHB15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A DPAK | - | 1075 | Chi tiết |
|
SIHB15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A TO263 | - | 33152 | Chi tiết |