SI6981DQ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
SI6981DQ-T1-GE3 P1
SI6981DQ-T1-GE3 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Vishay Siliconix ~ SI6981DQ-T1-GE3

Một phần số
SI6981DQ-T1-GE3
nhà chế tạo
Vishay Siliconix
Sự miêu tả
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- SI6981DQ-T1-GE3 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SI6981DQ-T1-GE3
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET 2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET Logic Level Gate
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 20V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 4.1A
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 300µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds -
Sức mạnh tối đa 830mW
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-TSSOP

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm