Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SI5513DC-T1-E3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Loại FET | N and P-Channel |
| Tính năng FET | Logic Level Gate |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 20V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 3.1A, 2.1A |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Sức mạnh tối đa | 1.1W |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | 8-SMD, Flat Lead |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 1206-8 ChipFET™ |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5513DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5515CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5515DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 6000 | Chi tiết |
 |
SI5515DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5517DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI5517DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | - | 12000 | Chi tiết |