Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SI4808DY-T1-E3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Tính năng FET | Logic Level Gate |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 30V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 5.7A |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA (Min) |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Sức mạnh tối đa | 1.1W |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 8-SO |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4800,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4800BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4804BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4804BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4804CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4804CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC | - | 3330 | Chi tiết |
 |
SI4808DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI4808DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | - | 0 | Chi tiết |