SI1046R-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
SI1046R-T1-GE3 P1
SI1046R-T1-GE3 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Vishay Siliconix ~ SI1046R-T1-GE3

Một phần số
SI1046R-T1-GE3
nhà chế tạo
Vishay Siliconix
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- SI1046R-T1-GE3 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số SI1046R-T1-GE3
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 20V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C -
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 1.49nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 66pF @ 10V
Vgs (Tối đa) ±8V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 250mW (Ta)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 606mA, 4.5V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp SC-75A
Gói / Trường hợp SC-75A

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm