Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | S1GHM3/61T |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 1A |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.1V @ 1A |
| Tốc độ | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 1.8µs |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 1µA @ 400V |
| Điện dung @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | DO-214AC, SMA |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | DO-214AC (SMA) |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1GHE | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE | - | 18000 | Chi tiết |
 |
S1GHE3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Chi tiết |
 |
S1GHE3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Chi tiết |
 |
S1GHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Chi tiết |
 |
S1GHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 0 | Chi tiết |
|
S1GHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1361872 | Chi tiết |
|
S1GHM3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 947083 | Chi tiết |
|
S1GHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC | - | 1041432 | Chi tiết |