Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | 1N5819-E3/54 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Schottky |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 1A |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 600mV @ 1A |
| Tốc độ | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | - |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 1mA @ 40V |
| Điện dung @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | DO-204AL (DO-41) |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -65°C ~ 125°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL | - | 262 | Chi tiết |
 |
1N5802US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | - | 181 | Chi tiết |
 |
1N5803 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL | - | 0 | Chi tiết |
 |
1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | - | 478 | Chi tiết |
 |
1N5804US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | - | 104 | Chi tiết |
 |
1N5805 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL | - | 0 | Chi tiết |
 |
1N5806 | Semtech Corporation | D MET 2.5A SFST 150V | - | 0 | Chi tiết |
|
1N5806/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | Chi tiết |
|
1N5806C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | Chi tiết |
|
1N5806E3/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | Chi tiết |
 |
1N5806TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | Chi tiết |
|
1N5806US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A | - | 229 | Chi tiết |