Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | GT102B1K |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Độ trở kháng ở Ohms @ 25 ° C | 1k |
| Dung sai kháng chiến | ±10% |
| B Dung sai giá trị | - |
| B0 / 50 | - |
| B25 / 50 | - |
| B25 / 75 | - |
| B25 / 85 | 3009K |
| B25 / 100 | - |
| Nhiệt độ hoạt động | 260°C |
| Sức mạnh tối đa | - |
| Chiều dài dây dẫn | 1.00" (25.40mm) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | Bead, Glass |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT10-16DP-HU | Hirose Electric Co Ltd | CONN HSG | - | 100 | Chi tiết |
 |
GT10-16DP-R | Hirose Electric Co Ltd | CONN RTNR | - | 100 | Chi tiết |
 |
GT10-16DS-HU | Hirose Electric Co Ltd | CONN HSG | - | 100 | Chi tiết |
 |
GT102B1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 1K OHM 10% BEAD | - | 0 | Chi tiết |
 |
GT103E1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 10K OHM 10% BEAD | - | 0 | Chi tiết |
 |
GT103J1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 10K OHM 10% BEAD | - | 0 | Chi tiết |
 |
GT104L1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 100K OHM 10% BEAD | - | 0 | Chi tiết |
 |
GT105U1K | US Sensor | NTC THERMISTOR 1M OHM 10% BEAD | - | 0 | Chi tiết |
 |
GT10B-20/10DS-CV | Hirose Electric Co Ltd | CONN INLINE SOCKET HOUSING | - | 2873 | Chi tiết |
 |
GT10G131(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 400V 1W 8-SOIC | 0 | Chi tiết | |
 |
GT10J312(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 600V 10A 60W TO220SM | 0 | Chi tiết | |
|
GT11-1822PCF(70) | Hirose Electric Co Ltd | M TERMINAL 18-22AWG | - | 0 | Chi tiết |