TC58NVG2S0HBAI4

IC EEPROM 4GBIT 25NS 63TFBGA
TC58NVG2S0HBAI4 P1
TC58NVG2S0HBAI4 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58NVG2S0HBAI4

Một phần số
TC58NVG2S0HBAI4
nhà chế tạo
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả
IC EEPROM 4GBIT 25NS 63TFBGA
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- TC58NVG2S0HBAI4 PDF online browsing
gia đình
Ký ức
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số TC58NVG2S0HBAI4
Trạng thái phần Active
Loại bộ nhớ Non-Volatile
Định dạng bộ nhớ EEPROM
Công nghệ EEPROM - NAND
Kích thước bộ nhớ 4Gb (512M x 8)
Tần số đồng hồ -
Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang 25ns
Thời gian truy cập 25ns
Giao diện bộ nhớ Parallel
Cung cấp điện áp 2.7 V ~ 3.6 V
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp 63-VFBGA
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 63-TFBGA (9x11)

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm