Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BAS516,L3F |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 250mA |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Tốc độ | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 3ns |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 200nA @ 80V |
| Điện dung @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | SC-79, SOD-523 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | ESC |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | 150°C (Max) |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS516,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | 0 | Chi tiết | |
 |
BAS516,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | 0 | Chi tiết | |
 |
BAS516,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | 0 | Chi tiết | |
|
BAS516,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | - | 2152293 | Chi tiết |
|
BAS516,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | - | 2386238 | Chi tiết |
 |
BAS516-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 | - | 1463559 | Chi tiết |
 |
BAS5202VE6127XT | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2 | 0 | Chi tiết | |
 |
BAS5202VH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2 | - | 716338 | Chi tiết |
 |
BAS5202VH6433XTMA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2 | 0 | Chi tiết | |
 |
BAS521,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523 | 0 | Chi tiết | |
 |
BAS521,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523 | 0 | Chi tiết | |
 |
BAS521,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523 | 0 | Chi tiết |