1SS387CT,L3F

DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
1SS387CT,L3F P1
1SS387CT,L3F P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ 1SS387CT,L3F

Một phần số
1SS387CT,L3F
nhà chế tạo
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả
DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- 1SS387CT,L3F PDF online browsing
gia đình
Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số 1SS387CT,L3F
Trạng thái phần Active
Loại Diode Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) 100mA
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If 1.2V @ 100mA
Tốc độ Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Thời gian phục hồi ngược (trr) 1.6ns
Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr 500nA @ 80V
Điện dung @ Vr, F 0.5pF @ 0V, 1MHz
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp SOD-882
Gói Thiết bị Nhà cung cấp CST2
Nhiệt độ hoạt động - Junction 150°C (Max)

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm