TC58CYG0S3HRAIG

1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
TC58CYG0S3HRAIG P1
TC58CYG0S3HRAIG P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Toshiba Memory America, Inc. ~ TC58CYG0S3HRAIG

Một phần số
TC58CYG0S3HRAIG
nhà chế tạo
Toshiba Memory America, Inc.
Sự miêu tả
1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- TC58CYG0S3HRAIG PDF online browsing
gia đình
Ký ức
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số TC58CYG0S3HRAIG
Trạng thái phần Active
Loại bộ nhớ Non-Volatile
Định dạng bộ nhớ FLASH
Công nghệ FLASH - NAND (SLC)
Kích thước bộ nhớ 2Gb (256M x 8)
Tần số đồng hồ 104MHz
Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang -
Thời gian truy cập -
Giao diện bộ nhớ SPI
Cung cấp điện áp 1.7V ~ 1.95V
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 85°C
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp -
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-WSON (6x8)

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm