Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Panasonic Electronic Components ~ SK8603180L

Một phần số	SK8603180L
Trạng thái phần	Active
Loại FET	N-Channel
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss)	30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C	15A (Ta), 39A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1.45mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 10V
Vgs (Tối đa)	±20V
Tính năng FET	-
Công suất Tối đa (Tối đa)	2.4W (Ta), 19W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs	7.1 mOhm @ 10A, 10V
Nhiệt độ hoạt động	150°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp	8-HSO
Gói / Trường hợp	8-PowerSMD, Flat Leads

Một phần số	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	PDF	Trong kho	Lượt xem
SK8603140L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 25A 8HSO	-	0	Chi tiết
SK8603150L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 26A 8HSO	-	2980	Chi tiết
SK8603160L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO	-	3000	Chi tiết
SK8603170L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSO	-	0	Chi tiết
SK8603180L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSO	-	0	Chi tiết
SK8603190L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSO	-	3000	Chi tiết
SK86C M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB	-	239056	Chi tiết
SK86C R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB	-	149546	Chi tiết
SK86C V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 8A 60V DO-214AB	-	210080	Chi tiết
SK86C V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 8A 60V DO-214AB	-	173311	Chi tiết
SK86CHM6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB	-	227104	Chi tiết
SK86CHR7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB	-	161671	Chi tiết