Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | MSD2714AT1G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Loại Transistor | NPN |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Tần suất - Chuyển tiếp | 650MHz |
| Hình ồn (dB Typ @ f) | - |
| Thu được | - |
| Sức mạnh tối đa | 225mW |
| DC hiện tại tăng (hFE) (Min) @ Ic, VCE | 90 @ 1mA, 6V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | SC-59 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSD200-08 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 3PH 800V 200A SM3 | - | 0 | Chi tiết |
 |
MSD200-12 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 3PH 1200V 200A SM3 | - | 15 | Chi tiết |
 |
MSD200-16 | Microsemi Corporation | DIODE BRIDGE 1600V 200A SM3 | - | 2 | Chi tiết |
 |
MSD2714AT1G | ON Semiconductor | TRANS NPN VHF/UHF BIPO 25V SC-59 | - | 0 | Chi tiết |