Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BSP52T3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Loại Transistor | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vua bão hòa (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) | 10µA |
| DC hiện tại tăng (hFE) (Min) @ Ic, VCE | 2000 @ 500mA, 10V |
| Sức mạnh tối đa | 800mW |
| Tần suất - Chuyển tiếp | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | TO-261-4, TO-261AA |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | SOT-223 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 | - | 2000 | Chi tiết |
 |
BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSP 60 E6433 | Infineon Technologies | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | 1000 | Chi tiết | |
 |
BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 1000 | Chi tiết |