Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | PSMN165-200K,518 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 200V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 25V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 3.5W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 8-SO |
| Gói / Trường hợp | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN165-200K,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 | 0 | Chi tiết |