JANTXV1N6628

DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
JANTXV1N6628 P1
JANTXV1N6628 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Microsemi Corporation ~ JANTXV1N6628

Một phần số
JANTXV1N6628
nhà chế tạo
Microsemi Corporation
Sự miêu tả
DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- JANTXV1N6628 PDF online browsing
gia đình
Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số JANTXV1N6628
Trạng thái phần Active
Loại Diode Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) 660V
Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) 1.75A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If 1.35V @ 2A
Tốc độ Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) 30ns
Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr 2µA @ 660V
Điện dung @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz
Kiểu lắp Through Hole
Gói / Trường hợp E, Axial
Gói Thiết bị Nhà cung cấp -
Nhiệt độ hoạt động - Junction -65°C ~ 150°C

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm