APTM120A80FT1G

MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
APTM120A80FT1G P1
APTM120A80FT1G P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Microsemi Corporation ~ APTM120A80FT1G

Một phần số
APTM120A80FT1G
nhà chế tạo
Microsemi Corporation
Sự miêu tả
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
APTM120A80FT1G.pdf APTM120A80FT1G PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số APTM120A80FT1G
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Tính năng FET Standard
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 1200V (1.2kV)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 14A
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 960 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 6696pF @ 25V
Sức mạnh tối đa 357W
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Chassis Mount
Gói / Trường hợp SP1
Gói Thiết bị Nhà cung cấp SP1

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm