APTM100H80FT1G

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
APTM100H80FT1G P1
APTM100H80FT1G P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Microsemi Corporation ~ APTM100H80FT1G

Một phần số
APTM100H80FT1G
nhà chế tạo
Microsemi Corporation
Sự miêu tả
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
APTM100H80FT1G.pdf APTM100H80FT1G PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Mảng
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số APTM100H80FT1G
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Tính năng FET Standard
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 1000V (1kV)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 11A
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 960 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 3876pF @ 25V
Sức mạnh tối đa 208W
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Chassis Mount
Gói / Trường hợp SP1
Gói Thiết bị Nhà cung cấp SP1

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm