Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT70GR120JD60 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại IGBT | NPT |
| Cấu hình | Single |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 112A |
| Sức mạnh tối đa | 543W |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) | 1.1mA |
| Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
| Đầu vào | Standard |
| Thermistor NTC | No |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Chassis Mount |
| Gói / Trường hợp | SOT-227-4 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | SOT-227 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | Chi tiết |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | Chi tiết |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | Chi tiết |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Chi tiết |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Chi tiết |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Chi tiết |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Chi tiết |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Chi tiết |