Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | 1N5913B G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Điện áp - Zener (Nôm) (Vz) | 3.3V |
| Lòng khoan dung | ±5% |
| Sức mạnh tối đa | 1.25W |
| Trở kháng (Max) (Zzt) | 10 Ohm |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 100µA @ 1V |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.2V @ 200mA |
| Nhiệt độ hoạt động | -65°C ~ 175°C |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | DO-204AL (DO-41) |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5059GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 8000 | Chi tiết |
 |
1N5059GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | Chi tiết |
 |
1N5059TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
 |
1N5059TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
 |
1N5060 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A | - | 0 | Chi tiết |
 |
1N5060GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 8000 | Chi tiết |
 |
1N5060GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Chi tiết |
 |
1N5060GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Chi tiết |
 |
1N5060GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Chi tiết |
|
1N5060TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 0 | Chi tiết |
 |
1N5060TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 20000 | Chi tiết |
 |
1N5061 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A | - | 0 | Chi tiết |