Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | S1J-LTP |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 1A |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.1V @ 1A |
| Tốc độ | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 2µs |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 5µA @ 600V |
| Điện dung @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | DO-214AA, SMB |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | DO-214AA (SMB) |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1J | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | - | 37500 | Chi tiết |
 |
S1J M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 1361872 | Chi tiết |
|
S1J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 1041432 | Chi tiết |
 |
S1J-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | 0 | Chi tiết | |
 |
S1J-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | - | 154000 | Chi tiết |
 |
S1J-E3/51T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | 0 | Chi tiết | |
 |
S1J-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 0 | Chi tiết |
 |
S1J-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 90000 | Chi tiết |
|
S1J-F | SMC Diode Solutions | SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER | - | 25822 | Chi tiết |
|
S1J-JR2 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 8406 | Chi tiết |
|
S1J-JR3 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25809 | Chi tiết |
|
S1J-KR2G | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 1769008 | Chi tiết |