IXFL34N100

MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
IXFL34N100 P1
IXFL34N100 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

IXYS ~ IXFL34N100

Một phần số
IXFL34N100
nhà chế tạo
IXYS
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IXFL34N100 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IXFL34N100
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 1000V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 9200pF @ 25V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 550W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 30A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp ISOPLUS264™
Gói / Trường hợp ISOPLUS264™

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm