Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IRG7PH42U-EP |
|---|---|
| Trạng thái phần | Not For New Designs |
| Loại IGBT | Trench |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90A |
| Hiện tại - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Sức mạnh tối đa | 385W |
| Chuyển đổi năng lượng | 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Kiểu đầu vào | Standard |
| Phụ trách cổng | 157nC |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C | 25ns/229ns |
| Điều kiện kiểm tra | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 153ns |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-247-3 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-247AD |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG7CH11K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Chi tiết |
|
IRG7CH20K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Chi tiết |
|
IRG7CH23K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | - | 0 | Chi tiết |
|
IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Chi tiết |
|
IRG7CH28UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Chi tiết | |
|
IRG7CH30K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Chi tiết | |
|
IRG7CH35UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Chi tiết |
|
IRG7CH35UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Chi tiết | |
|
IRG7CH37K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Chi tiết | |
|
IRG7CH42UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | - | 0 | Chi tiết |
|
IRG7CH42UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | 0 | Chi tiết | |
|
IRG7CH44K10EF | Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER | 0 | Chi tiết |