IRF100P219XKMA1

TRENCHMOSFETS
IRF100P219XKMA1 P1
IRF100P219XKMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IRF100P219XKMA1

Một phần số
IRF100P219XKMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
TRENCHMOSFETS
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IRF100P219XKMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IRF100P219XKMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 100V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 278µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Vgs (Tối đa) ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 12020pF @ 50V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 341W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp TO-247AC
Gói / Trường hợp TO-247-3

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm