IPW60R299CPFKSA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
IPW60R299CPFKSA1 P1
IPW60R299CPFKSA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPW60R299CPFKSA1

Một phần số
IPW60R299CPFKSA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IPW60R299CPFKSA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPW60R299CPFKSA1
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 600V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (Tối đa) ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 96W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO247-3
Gói / Trường hợp TO-247-3

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm