IPP110N20N3GXKSA1

MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
IPP110N20N3GXKSA1 P1
IPP110N20N3GXKSA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPP110N20N3GXKSA1

Một phần số
IPP110N20N3GXKSA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- IPP110N20N3GXKSA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPP110N20N3GXKSA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 200V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 88A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Vgs (Tối đa) ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 300W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Through Hole
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO220-3
Gói / Trường hợp TO-220-3

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm