IPB60R040C7ATMA1

MOSFET N-CH 600V TO263-3
IPB60R040C7ATMA1 P1
IPB60R040C7ATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPB60R040C7ATMA1

Một phần số
IPB60R040C7ATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 600V TO263-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
IPB60R040C7ATMA1.pdf IPB60R040C7ATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPB60R040C7ATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 650V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.24mA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 400V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 227W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 24.9A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO263-3
Gói / Trường hợp TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm