Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IPA65R190CFD |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 650V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 17.5A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 730µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 100V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 34W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-TO220 Full Pack |
| Gói / Trường hợp | TO-220-3 Full Pack |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP | 0 | Chi tiết | |
 |
IPA60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Chi tiết |
|
IPA60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Chi tiết |
 |
IPA60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP | - | 9135 | Chi tiết |
 |
IPA60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP | - | 9096 | Chi tiết |
 |
IPA60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 0 | Chi tiết | |
 |
IPA60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 | 24 | Chi tiết | |
|
IPA60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Chi tiết |
 |
IPA60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3 | 0 | Chi tiết | |
|
IPA60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Chi tiết |
 |
IPA60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP | - | 471 | Chi tiết |
|
IPA60R125C6E8191XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | - | 7021 | Chi tiết |