BSZ067N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
BSZ067N06LS3GATMA1 P1
BSZ067N06LS3GATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ BSZ067N06LS3GATMA1

Một phần số
BSZ067N06LS3GATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- BSZ067N06LS3GATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số BSZ067N06LS3GATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 60V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 35µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V
Vgs (Tối đa) ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 30V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TSDSON-8
Gói / Trường hợp 8-PowerVDFN

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm