Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BSC084P03NS3 G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | P-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 30V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 4785pF @ 15V |
| Vgs (Tối đa) | ±25V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 50A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-TDSON-8 |
| Gói / Trường hợp | 8-PowerTDFN |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC080N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSC080N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8 | - | 10000 | Chi tiết |
 |
BSC080P03LS G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 | - | 5000 | Chi tiết |
 |
BSC080P03LSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 | - | 71194 | Chi tiết |
 |
BSC082N10LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | - | 20000 | Chi tiết |
 |
BSC084P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 | - | 5000 | Chi tiết |
 |
BSC084P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSC084P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 | - | 139587 | Chi tiết |
 |
BSC085N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 | 0 | Chi tiết |