Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 25V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 38A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 1.05 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 12V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Nhiệt độ hoạt động | - |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-TDSON-8 |
| Gói / Trường hợp | 8-PowerTDFN |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | - | 56873 | Chi tiết |
 |
BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | - | 20000 | Chi tiết |
|
BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 60854 | Chi tiết |
 |
BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON | 15000 | Chi tiết | |
|
BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 48933 | Chi tiết |
 |
BSC010NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 35000 | Chi tiết |
 |
BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 87725 | Chi tiết |
 |
BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | - | 25000 | Chi tiết |
 |
BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | - | 81876 | Chi tiết |