BSB028N06NN3 G

MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
BSB028N06NN3 G P1
BSB028N06NN3 G P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ BSB028N06NN3 G

Một phần số
BSB028N06NN3 G
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- BSB028N06NN3 G PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số BSB028N06NN3 G
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 60V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 90A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 102µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 30V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp MG-WDSON-2, CanPAK M™
Gói / Trường hợp 3-WDSON

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm