Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | BSB014N04LX3 G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 40V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 20V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Gói / Trường hợp | 3-WDSON |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSB012N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON | 0 | Chi tiết | |
 |
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 | 0 | Chi tiết | |
 |
BSB012NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | - | 0 | Chi tiết |
 |
BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | - | 76760 | Chi tiết |
 |
BSB014N04LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 5000 | Chi tiết |
 |
BSB014N04LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 66990 | Chi tiết |
 |
BSB015N04NX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 5000 | Chi tiết |
 |
BSB015N04NX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 43071 | Chi tiết |
 |
BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | 0 | Chi tiết | |
 |
BSB019N03LX G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON | 0 | Chi tiết |