Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | GD25LQ16CSIG |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại bộ nhớ | Non-Volatile |
| Định dạng bộ nhớ | FLASH |
| Công nghệ | FLASH - NOR |
| Kích thước bộ nhớ | 16Mb (2M x 8) |
| Tần số đồng hồ | 104MHz |
| Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang | 50µs, 2.4ms |
| Thời gian truy cập | - |
| Giao diện bộ nhớ | SPI - Quad I/O |
| Cung cấp điện áp | 1.65V ~ 2.1V |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói / Trường hợp | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 8-SOP |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD25-15P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | 0 | Chi tiết | |
|
GD25-15P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | 0 | Chi tiết | |
|
GD25-19P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | 0 | Chi tiết | |
|
GD25-19P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | 0 | Chi tiết | |
|
GD25-24P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | 0 | Chi tiết | |
|
GD25-24P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | 0 | Chi tiết | |
 |
GD25D05CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 275177 | Chi tiết |
|
GD25D05CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45 | - | 212635 | Chi tiết |
 |
GD25D05CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 313151 | Chi tiết |
 |
GD25D05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 338670 | Chi tiết |
|
GD25D10CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 258991 | Chi tiết |
|
GD25D10CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 1MBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45MM | - | 201445 | Chi tiết |