Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | MSRTA60080(A) |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Cấu hình Diode | 1 Pair Common Cathode |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Hiện tại - Trung bình Chỉnh (Io) (mỗi Diode) | 600A (DC) |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.2V @ 600A |
| Tốc độ | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | - |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 25µA @ 600V |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Kiểu lắp | Chassis Mount |
| Gói / Trường hợp | Three Tower |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | Three Tower |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA30060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER | 0 | Chi tiết | |
 |
MSRTA30060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER | 0 | Chi tiết |