Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | GA50JT06-258 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | - |
| Công nghệ | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 600V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Tối đa) | - |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 769W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-258 |
| Gói / Trường hợp | TO-258-3, TO-258AA |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
GA50JT06-258 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 600V 100A | 0 | Chi tiết | |
 |
GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 50A | 77 | Chi tiết | |
 |
GA50JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 | - | 0 | Chi tiết |
 |
GA50JT17-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.7KV 100A | 0 | Chi tiết | |
 |
GA50K6A1A | TE Connectivity Measurement Specialties | NTC THERMISTOR 50K OHM 0.1C BEAD | - | 486 | Chi tiết |
 |
GA50SICP12-227 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV | 4 | Chi tiết |