Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | GA05JT01-46 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | - |
| Công nghệ | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 100V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Tối đa) | - |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 20W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 5A |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-46 |
| Gói / Trường hợp | TO-46-3 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GA05JT01-46 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 100V 9A | 89 | Chi tiết | |
 |
GA05JT03-46 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 300V 9A | 64 | Chi tiết | |
 |
GA05JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 5A | 0 | Chi tiết | |
 |
GA05JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 15A | 1156 | Chi tiết |