DMT8012LFG-7

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
DMT8012LFG-7 P1
DMT8012LFG-7 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Diodes Incorporated ~ DMT8012LFG-7

Một phần số
DMT8012LFG-7
nhà chế tạo
Diodes Incorporated
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- DMT8012LFG-7 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số DMT8012LFG-7
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 80V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1949pF @ 40V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 12A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PowerDI3333-8
Gói / Trường hợp 8-PowerWDFN

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm