DMN60H080DS-7

MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
DMN60H080DS-7 P1
DMN60H080DS-7 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Diodes Incorporated ~ DMN60H080DS-7

Một phần số
DMN60H080DS-7
nhà chế tạo
Diodes Incorporated
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- DMN60H080DS-7 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số DMN60H080DS-7
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 600V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 80mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 100 Ohm @ 60mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 10V
Vgs (Tối đa) ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 25V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 1.1W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp SOT-23-3
Gói / Trường hợp TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm