DMN2015UFDF-7

MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
DMN2015UFDF-7 P1
DMN2015UFDF-7 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Diodes Incorporated ~ DMN2015UFDF-7

Một phần số
DMN2015UFDF-7
nhà chế tạo
Diodes Incorporated
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- DMN2015UFDF-7 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số DMN2015UFDF-7
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 20V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 15.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 42.3nC @ 10V
Vgs (Tối đa) ±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1439pF @ 10V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 1.8W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp U-DFN2020-6
Gói / Trường hợp 6-UDFN Exposed Pad

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm