Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | CDBJSC10650-G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Silicon Carbide Schottky |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 10A (DC) |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 1.7V @ 10A |
| Tốc độ | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 0ns |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 100µA @ 650V |
| Điện dung @ Vr, F | 710pF @ 0V, 1MHz |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-220-2 Full Pack |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-220F |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
CDBJSC101200-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | - | 9193 | Chi tiết |
|
CDBJSC101700-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | - | 1980 | Chi tiết |
|
CDBJSC10650-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | - | 13663 | Chi tiết |
|
CDBJSC3650-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | - | 40405 | Chi tiết |
|
CDBJSC51200-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | - | 17599 | Chi tiết |
|
CDBJSC5650-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | - | 26664 | Chi tiết |
|
CDBJSC8650-G | Comchip Technology | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO | - | 36425 | Chi tiết |