SIRA14BDP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK SO-8
SIRA14BDP-T1-GE3 P1
SIRA14BDP-T1-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SIRA14BDP-T1-GE3

Parça numarası
SIRA14BDP-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK SO-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SIRA14BDP-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SIRA14BDP-T1-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 30V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 21A (Ta), 64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 5.38 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (Maks.) +20V, -16V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 917pF @ 15V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerPAK® SO-8
Paket / Durum PowerPAK® SO-8

ilgili ürünler

Tüm ürünler