| номер части | SIRA14BDP-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 21A (Ta), 64A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 5.38 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | +20V, -16V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 917pF @ 15V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 36W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SO-8 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIRA14BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK SO-8 | - | 326363 | подробности |
 |
SIRA14DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8 | - | 3000 | подробности |
